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參數(shù)資料
| 型號： | HB52E649E12 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 注冊使用512 MB SDRAM的內(nèi)存64 Mword】72位，100 MHz的內(nèi)存總線，1銀模塊（18件64 M】4組件）PC100的SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 2/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | HB52E649E12 |
HB52E649E12-A6B/B6B
Data Sheet E0020H20
2
Interleave
Programmable
CE
latency
: 3/4 (HB52E649E12-A6B)
: 4 (HB52E649E12-B6B)
Byte control by DQMB
Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64 ms
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
Ordering Information
Type No.
Frequency
CE
latency
Package
Contact pad
HB52E649E12-A6B
100 MHz
3/4
168-pin dual lead out socket type
Gold
HB52E649E12-B6B
100 MHz
4
Pin Arrangement
1 pin 10 pin11 pin
40 pin 41 pin
84 pin
85 pin 94 pin 95 pin
124 pin 125 pin
168 pin
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E649E12-A6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52E649E12-B6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E649E12-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52E649E12-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
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| HB52E649EN-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus |
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