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參數(shù)資料
| 型號： | HB288256C6 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | ; Leaded Process Compatible:Yes |
| 中文描述： | CF卡⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 52/66頁 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | HB288256C6 |
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HB2881000/800/640/448/320/256/192/160/128/096/064/032A6
52
DC Characteristics-3
(Ta = 0 to +60C, V
CC
= 5.0 V ± 10%)
32MB/64MB/
96MB/
128MB
160MB/192
MB/256MB/
320MB
448MB/640
MB/800MB/
1GB
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
Unit Test conditions
Sleep/standby
current
I
SP1
0.5
1.0
0.7
1.5
1.0
2.0
mA
CMOS level (control signal =
V
– 0.2 V)
(In Memory card mode and
I/O card mode)
Sector read
current
I
CCR
(DC)
40
75
40
75
40
75
mA
CMOS level (control signal =
V
– 0.2 V) during sector
read transfer
I
(Peak)
80
120
80
120
80
120
mA
Sector write
current
I
CCW
(DC)
45
75
45
75
45
75
mA
CMOS level (control signal =
V
– 0.2 V) during sector
write transfer
I
(Peak)
80
120
80
120
80
120
mA
DC Characteristics-4
(Ta = 0 to +60C, V
CC
= 3.3 V ± 5%)
32MB/64MB/
96MB/
128MB
160MB/192
MB/256MB/
320MB
448MB/640
MB/800MB/
1GB
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
Unit Test conditions
Sleep/standby
current
I
SP1
0.3
1.0
0.4
1.5
0.5
2.0
mA
CMOS level (control signal =
V
– 0.2 V)
(In Memory card mode and
I/O card mode)
Sector read
current
I
CCR
(DC)
25
50
25
50
25
50
mA
CMOS level (control signal =
V
– 0.2 V) during sector
read transfer
I
(Peak)
50
80
50
80
50
80
mA
Sector write
current
I
CCW
(DC)
25
50
25
50
25
50
mA
CMOS level (control signal =
V
– 0.2 V) during sector
write transfer
I
(Peak)
50
100
50
100
50
100
mA
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PDF描述 |
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