參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2195R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 92K
代理商： HAT2195R
HAT2195R
Rev.3.00, Apr.01.2004, page 3 of 6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
Pulse Test
Case Temperature Tc (°C)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
12
Pulse Test
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
200
160
120
80
40
0
4
8
12
16
20
20
10
2
5
1
30
300
10
8
6
4
–25
0
25
50
75
150
100 125
2
Pulse Test
I
D
= 20 A
5 A
10 A
1
10
100
1000
3
50
V
GS
= 4.5 V
10 V
5 A, 10 A
20 A
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 4.5 V
10 V
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
1000
30
100
300
1
0.3
3
0.1
Tc = –25 °C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75 °C
25 °C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
Tc = 75°C
25°C
–25°C
V = 10 V
Pulse Test
V
GS
= 2.4 V
10 V
4 V
2.6 V
2.8 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2197R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2198R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2198R-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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HAT2204C Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes, SOD323 (UMD2; I-IEIA; URP), Tape reel SMD
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參數(shù)描述
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HAT2195WP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Tape and Reel
HAT2196C 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET Power Switching
HAT2196C-EL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET Power Switching
HAT2197R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP - Tape and Reel
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