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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2165N |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | HAT2165N |
HAT2165N
Rev.0.01, Jul.15.2004, page 4 of 6
Case Temperature Tc (
°
C)
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
8
Pulse Test
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
6
4
2
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
R
D
I = 10 A, 20 A
10 A, 20 A, 50 A
V = 4.5 V
10 V
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
1000
100
30
300
1
0.3
3
0.1
Tc = -25
°
C
V = 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
50 A
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
40
30
20
10
0
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
I = 55 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V = 25 V
10 V
5 V
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
0.1
0.3
1
3
10
30
100
100
20
50
10
di / dt = 100 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
Reverse Drain Current I (A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
100
300
30
10
0.1 0.2
2
10
100
20
1
0.5
5
1000
50
3
V = 10 V , V = 10 V
Rg = 4.7 , duty < 1 %
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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