參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2093R
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： HAT2093R
Application
Power switching
Features
Low on–resistance
Capable of2.5V gate drive
Low drive current
High density mounting
Ordering Information
————————————————————
Hitachi Code
————————————————————
EIAJ Code
————————————————————
JEDEC Code
————————————————————
FP–8D
SC–527–8A
—
Table 1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
———————————————————————————————————————————
Drain to source voltage
V
DSS
———————————————————————————————————————————
Gate to source voltage
V
GSS
———————————————————————————————————————————
Drain current
I
D
———————————————————————————————————————————
Drain peak current
I
D(pulse)
*
———————————————————————————————————————————
Body–drain diode reverse drain current
I
DR
———————————————————————————————————————————
Channel dissipation
Pch**
———————————————————————————————————————————
Channel temperature
Tch
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
———————————————————————————————————————————
*
PW
≤
10 μs, duty cycle
≤
1 %
**
When using the glass epoxy board (40
x
40
x
1.6 mm)
Symbol
Ratings
Unit
30
V
±10
V
5
A
20
A
5
A
1
W
150
°C
–55 to +150
°C
1234
5
6
7
8
SOP–8
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
G
D
S S S
1 2
D D D
4
3
5 6
7 8
HAT2001F
Silicon N Channel Power MOS FET
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2099H
HAT2006F
HAT2007F
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HAT2099H_05 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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