參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2007F
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 37K
代理商： HAT2007F
Application
Power switching
Features
Low on–resistance
Capable of2.5V gate drive
Low drive current
High density mounting
Ordering Information
————————————————————
Hitachi Code
————————————————————
EIAJ Code
————————————————————
JEDEC Code
————————————————————
FP–8D
SC–527–8A
—
Table 1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
———————————————————————————————————————————
Drain to source voltage
V
DSS
———————————————————————————————————————————
Gate to source voltage
V
GSS
———————————————————————————————————————————
Drain current
I
D
———————————————————————————————————————————
Drain peak current
I
D(pulse)
*
———————————————————————————————————————————
Body–drain diode reverse drain current
I
DR
———————————————————————————————————————————
Channel dissipation
Pch**
———————————————————————————————————————————
Channel temperature
Tch
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
———————————————————————————————————————————
*
PW
≤
10 μs, duty cycle
≤
1 %
**
When using the glass epoxy board (40
x
40
x
1.6 mm)
Symbol
Ratings
Unit
30
V
±10
V
5
A
20
A
5
A
1
W
150
°C
–55 to +150
°C
1234
5
6
7
8
SOP–8
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
G
D
S S S
1 2
D D D
4
3
5 6
7 8
HAT2001F
Silicon N Channel Power MOS FET
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2008F
HAT2009F
HAT2010F
HAT2108R
HAT2116H
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2008F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HAT2009F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HAT200-S 制造商:LEM 制造商全稱:LEM 功能描述:Current Transducer
HAT2010F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HAT2016R 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
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