參數(shù)資料
型號： HAT1023R
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel Power MOS FET(P溝道功率MOSFET)
中文描述： 硅P溝道功率MOS FET性（P溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 28K
代理商： HAT1023R
HAT1023R
2
Ordering Information
Hitachi Code
FP-8DA
EIAJ Code
—
JEDEC Code
MS-012AA
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
–20
V
Gate to source voltage
±
10
–6.5
V
Drain current
A
Drain peak current
1
–26
A
Body to drain diode reverse drain current
–6.5
A
Channel dissipation
2
2.0
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. When using surface mounted on FR4 board
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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