參數(shù)資料
型號(hào)： HAF1009S
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
中文描述： 硅P通道MOS FET的電源開(kāi)關(guān)系列
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 110K
代理商： HAF1009S
HAF1009(L), HAF1009(S)
Rev.1.00, May.13.2003, page 5 of 10
-1.6
-2.0
-1.2
-0.8
-0.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
Pulse Test
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
D
D
50
100
-0.1
-0.5 -1
Drain Current I
D
(A)
-5 -10
-50 -100
20
10
2
5
1
Static Drain to Source Sate Resistance
vs. Drain Current
100
80
60
40
20
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
Pulse Test
Case Temperature Tc (
°
C)
D
D
(
)
D
D
(
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
100
20
10
50
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
F
-20 A
I = -40 A
-10 A
V = -10 V
V = -4 V
-10 A
I = -40 A
-20 A
-10 A
-20 A
-40 A
-0.1
-1
-10
-100
5
2
1
0.1
0.2
0.5
Tc = -25
°
C
25
°
C
75
°
C
V = -10 V
Pulse Test
V = -4 V
-10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAF2012L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262VAR
HAF2012S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB
HAF2014
HAF2015RJ
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參數(shù)描述
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