參數(shù)資料
型號： H6NA80FI
英文描述： N - CHANNEL 800V - 1.8W - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR(138.87 k)
中文描述： ? -頻道800V的- 1.8W的- 5.4A - TO-247/ISOWATT218快速功率MOS器件（138.87十一）
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： H6NA80FI
THERMAL DATA
TO-247
ISOWATT218
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Max
0.83
2.08
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
30
0.1
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
5.4
A
E
AS
150
mJ
E
AR
5.8
mJ
I
AR
3.4
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
800
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
T
c
= 100
o
C
25
50
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
30 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.25
3
3.75
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
I
D
= 3 A
T
c
= 100
o
C
1.8
2.2
4.4
A
I
D(on)
On State Drain Current
5.4
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3 A
3
5.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
1250
140
35
1700
190
50
pF
pF
pF
STW6NA80-STH6NA80FI
2/10
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