參數(shù)資料
型號： H6NA80FI
英文描述： N - CHANNEL 800V - 1.8W - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR(138.87 k)
中文描述： ? -頻道800V的- 1.8W的- 5.4A - TO-247/ISOWATT218快速功率MOS器件（138.87十一）
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： H6NA80FI
STW6NA80
STH6NA80FI
N - CHANNEL 800V - 1.8
- 5.4A - TO-247/ISOWATT218
FAST POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 1.8
I
AVALANCERUGGED TECHNOLOGY
I
100%AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVEAVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
VERY HIGH CURRENT CAPABILITY
I
APPLICATIONORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAYDRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STW6NA80
STH6NA80FI
V
DS
V
DGR
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
800
V
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
800
V
V
GS
±
30
V
I
D
I
D
5.4
3.4
A
3.4
2.1
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
22
22
A
150
60
W
1.2
0.48
4000
W/
o
C
V
ISO
T
stg
T
j
Insulation Withstand Voltage (DC)
V
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
o
C
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 2.2
< 2.2
I
D
STW6NA80
STH6NA80FI
800 V
800 V
5.4 A
3.4 A
October 1998
1
2
3
TO-247
ISOWATT218
1
2
3
1/10
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PDF描述
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H6PPH-1006G 功能描述:DIP CABLE - HDP10H/AE10G/HDP10H RoHS:是 類別:電纜組件 >> 矩形 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:C3(A,B,C,D)E Series 標準包裝:1 系列:- 連接器類型:插口至卡邊 位置數(shù):20 行數(shù):2 間距 - 連接器:0.100"（2.54mm） 間距 - 線纜:0.050"（1.27mm） 長度:0.500'（152.40mm，6.00"） 特點:應力消除 顏色:多色，帶狀 屏蔽:無屏蔽 使用:- 電纜端接:IDC 觸點表面涂層:錫 觸點涂層厚度:100µin（2.54µm） 產(chǎn)品目錄頁面:36 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:C3BES-2006M
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