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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GSMBTA06 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | GSMBTA06 |
GSMBTA06
Page: 1/2
ISSUED DATE :2005/08/31
REVISED DATE :
G
G S
S M
M B
B T
TA
A0066
N
N P
P N
N S
S II L
L II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSMBTA06 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
80
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
80
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
4
V
Collector Current
IC
500
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Electrical Characteristics(Ta = 25 : ,unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
80
-
V
IC=100uA, IE=0
BVCEO
80
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
4
-
V
IE=100uA, IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=80V, IE=0
ICEO
-
100
nA
VCE=80V, IB=0
*VCE(sat)
-
250
mV
IC=100mA, IB=10mA
*VBE(on)
-
1.2
V
VCE=1V, IC=100mA
*hFE1
50
-
VCE=1V, IC=10mA
*hFE2
50
-
VCE=1V, IC=100mA
fT
100
-
MHz
VCE=2V, IC=10mA, f=100MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSMBTA13 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA14 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA42 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA44 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA56 | PNP SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GSMBTA13 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA14 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA42 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA44 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBTA56 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
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