參數(shù)資料
型號(hào)： GSMBTA42
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 瑞展晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 185K
代理商： GSMBTA42
GSMBTA42
Page: 1/2
ISSUED DATE :2005/08/31
REVISED DATE :
G
G S
S M
M B
B T
TA
A4422
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSMBTA42 is designed for high voltage transistor.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
300
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
300
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
500
mA
Total Power Dissipation
PD
350
mW
Electrical Characteristics(Ta = 25 : ,unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
300
-
V
IC=100uA, IE=0
BVCEO
300
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
6
-
V
IE=100uA, IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=200V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=6V, IC=0
*VCE(sat)
-
500
mV
IC=20mA, IB=2mA
*VBE(sat)
-
900
mV
IC=20mA, IB=2mA
*hFE1
25
-
VCE=10V, IC=1mA
*hFE2
40
-
VCE=10V, IC=10mA
*hFE3
40
-
VCE=10V, IC=30mA
fT
50
-
MHz
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
Cob
-
3
pF
VCB=20V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GSMBTA44 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GSMBTA56 PNP SILICON TRANSISTOR
GSMBTA64 PNP SILICON TRANSISTOR
GSMBTA92 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GSMBTA94 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GSMBTA44 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GSMBTA56 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR
GSMBTA64 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR
GSMBTA92 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GSMBTA94 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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