參數(shù)資料
型號(hào)： GSC6618
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： GSC6618
GSC6618
Page: 1/4
ISSUED DATE :2006/01/10
REVISED DATE :
G
G S
S C
C 66661188
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GSC6618 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited
for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Simple Drive Requirement
*Low Gate Charge
*Fast Switching Characteristic
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
5.80
6.20
M
0.10
0.25
B
4.80
5.00
H
0.35
0.49
C
3.80
4.00
L
1.35
1.75
D
0°
8°
J
0.375 REF.
E
0.40
0.90
K
45°
F
0.19
0.25
G
1.27 TYP.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
30
V
Gate-Source Voltage
VGS
±20
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
7
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
5.8
A
Pulsed Drain Current1
IDM
30
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
2.5
W
Linear Derating Factor
0.02
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Rthj-amb
50
: /W
BVDSS
30V
RDS(ON)
30m
ID
7A
Pb Free Plating Product
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GSC6680 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC7811 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC78L05 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
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參數(shù)描述
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GSC7/10 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述:
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