參數(shù)資料
型號(hào)： GSC6680
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： GSC6680
GSC6680
Page: 1/5
ISSUED DATE :2005/06/27
REVISED DATE :2006/10/02C
G
G S
S C
C 66668800
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GSC6680 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited
for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Low On-Resistance
*High Vgs Max Rating Voltage
*Surface Mount Package
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
5.80
6.20
M
0.10
0.25
B
4.80
5.00
H
0.35
0.49
C
3.80
4.00
L
1.35
1.75
D
0 C
8 C
J
0.375 REF.
E
0.40
0.90
K
45 C
F
0.19
0.25
G
1.27 TYP.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
30
V
Gate-Source Voltage
VGS
±20
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
11.5
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
9.5
A
Pulsed Drain Current1
IDM
50
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
2.5
W
Linear Derating Factor
0.02
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Rthj-amb
50
: /W
BVDSS
30V
RDS(ON)
11m
ID
11.5A
Pb Free Plating Product
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PDF描述
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GSC70DRST-S273 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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