參數(shù)資料
型號(hào): GSC4672
廠商: GTM CORPORATION
英文描述: Automotive Relays; V23132B2002A100=HCR ( Tyco Electronics )
中文描述: npn型外延硅晶體管
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 169K
代理商: GSC4672
1/2
ISSUED DATE :2005/07/15
REVISED DATE :
G
G S
S C
C 44776622
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L S
S II L
L II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSC4672 is designed for low frequency amplifier applications.
Features
&Low saturation voltage, typically VCE(sat) =0.1V at IC/IB=1A/50mA
&
Excellent DC current gain characteristics
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.45
4.7
D
4.44
4.7
S1
1.02
-
E
3.30
3.81
b
0.36
0.51
L
12.70
-
b1
0.36
0.76
e1
1.150
1.390
C
0.36
0.51
e
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings (TA=25 )
::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current (DC)
IC
2
A
Collector Current (Pulse PW=10ms)
IC
5
A
Total Device Dissipation
PD
750
mW
Junction Temperature
TJ
150
:
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
:
Electrical Characteristics (TA = 25 : unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
60
-
V
IC=50uA, IE=0
BVCEO
50
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
6
-
V
IE=50uA, IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=60V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=5V, IC=0
*VCE(sat)
-
0.1
0.35
V
IC=1A, IB=50mA
*hFE
120
-
400
VCE=2V, IC=500mA
fT
-
210
-
MHz
VCE=2V, IE=500mA, f=100MHz
Cob
-
25
-
pF
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
Classification Of hFE
Rank
A
B
Range
120 ~ 240
200 ~ 400
L
e 1
b
e
S E A T IN G
P L A N E
b 1
A
D
C
S 1
E
TO-92
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GSC4800 Automotive Relays; V23132B2002A200=HCR ( Tyco Electronics )
GSC4835 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC4880 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC4N01 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC6618 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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參數(shù)描述
GSC4800 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC4835 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC4880 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC49DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:5 位置數(shù):10 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin(0.25µm) 觸點(diǎn)類型::全波紋管 顏色:綠 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):側(cè)面安裝開(kāi)口,無(wú)螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
GSC49DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 98POS .100 R/A SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 系列:357 卡類型:非指定 - 單邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):36 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):1 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅,鎳,錫合金 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:- 觸點(diǎn)類型::發(fā)夾式波紋管 顏色:黑 包裝:散裝 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:熱塑性聚酯 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):單路