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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18AT-225T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 6 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 3/36頁 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | GS881E18AT-225T |
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GS881E18(T/D)/GS881E32A(D)/GS881E36A(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
11/36
2001, GSI Technology
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x32/x36 versions.
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Read
H
L
HHHH
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
LLLLL
2, 3, 4
Write all bytes
L
XXXX
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
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