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參數(shù)資料
| 型號： | GS88136CT-250V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | CACHE SRAM, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 22/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1540K |
| 代理商： | GS88136CT-250V |
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GS88118/32/36C(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 9/2008
29/36
2008, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics (1.8/2.5 V Version)
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
1.8 V Test Port Input Low Voltage
VILJ1
–
0.3
0.3 * VDD1
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–
0.3
0.3 * VDD2
V
1
1.8 V Test Port Input High Voltage
VIHJ1
0.6 * VDD1
VDD1 +0.3
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V < Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ V
IN ≤ V
ILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
Ω
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-133T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-150 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88136T-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-100I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-11 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-11.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-11.5I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
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