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參數(shù)資料
| 型號： | GS880E36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Mb（256K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 8MB的（256 × 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（800萬位（256K × 36位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 23/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 850K |
| 代理商： | GS880E36 |
Rev: 1.11 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
23/25
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS880E18/32/36T-11/11.5/100/80/66
TQFP Package Drawing
BPR 1999.05.18
D
D
E1
E
P
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1.
2.
All dimensions are in millimeters (mm).
Package width and length do not include mold protrusion.
Symbol
Description
Min.
Nom.
Max
A1
Standoff
0.05
0.10
0.15
A2
Body Thickness
1.35
1.40
1.45
b
Lead Width
0.20
0.30
0.40
c
Lead Thickness
0.09
—
0.20
D
Terminal Dimension
21.9
22.0
22.1
D1
Package Body
19.9
20.0
20.1
E
Terminal Dimension
15.9
16.0
16.1
E1
Package Body
13.9
14.0
14.1
e
Lead Pitch
—
0.65
—
L
Foot Length
0.45
0.60
0.75
L1
Lead Length
—
1.00
—
Y
Coplanarity
—
—
0.10
θ
Lead Angle
0
°
—
7
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880E18 | 8Mb（512K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（512K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS880E36AT-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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