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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8662QT10BD-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 24/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 303K |
| 代理商： | GS8662QT10BD-200I |
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GS8662QT07/10/19/37BD-357/333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
4/29
2011, GSI Technology
4M x 18 SigmaQuad-II+ SRAM—Top View
1234
56789
10
11
A
CQ
NC/SA
(144Mb)
SA
W
BW1
K
NC/SA
(288Mb )
R
SA
CQ
B
NC
Q9
D9
SA
NC
K
BW0
SA
NC
Q8
C
NC
D10
VSS
SA
VSS
NC
Q7
D8
D
NC
D11
Q10
VSS
NC
D7
E
NC
Q11
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
D6
Q6
F
NC
Q12
D12
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
Q5
G
NC
D13
Q13
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
D5
H
Doff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
NC
D14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
Q4
D4
K
NC
Q14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
D3
Q3
L
NC
Q15
D15
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
Q2
M
NC
D16
VSS
NC
Q1
D2
N
NC
D17
Q16
VSS
SA
VSS
NC
D1
P
NC
Q17
SA
QVLD
SA
NC
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
ODT
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1. BW0 controls writes to D0:D8. BW1 controls writes to D9:D17.
2. Pins A2 and A7 are the expansion addresses.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662QT10BGD-250T | 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8662T06BD-350I | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8662T06BD-350T | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8672Q38BE-500I | 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS880F32AGT-5.5IT | 256K X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662R08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8662R08BD-167 - Trays |
| GS8662R08BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8662R08BD-200 - Trays |
| GS8662R08BD-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8662R08BD-200I - Trays |
| GS8662R08E | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R08E-167 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
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