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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840F36AGT-10T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 708K |
| 代理商： | GS840F36AGT-10T |
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GS840F18/32/36AT-8/8.5/10/12
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.11 10/2007
14/22
1999, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Symbol
-8
-8.5
-10
-12
Unit
0
to
70°C
-40
to
85°C
0
to
70°C
-40
to
85°C
0
to
70°C
-40
to
85°C
0
to
70°C
-40
to
85°C
Operating
Current
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
IDD
Flow Through
210
220
190
200
165
175
135
145
mA
Standby
Current
ZZ
≥ VDD – 0.2 V
ISB
Flow Through
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
IDD
Flow Through
40
50
40
50
35
45
35
45
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840H18AT-100T | 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS840F36AGT-7.5 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840F36AGT-7.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840F36AGT-8 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4MBIT 128KX36 8NS 100TQFP - Trays |
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