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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840E18AGT-150T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 950K |
| 代理商： | GS840E18AGT-150T |
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GS840E18/32/36AT/B-180/166/150/100
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.14 10/2007
19/32
1999, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Symbol
-180
-166
-150
-100
Unit
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
IDD
Pipeline
335
345
310
320
280
290
190
200
mA
IDD
Flow Through
210
220
190
200
165
175
135
145
mA
Standby
Current
ZZ
≥ VDD –
0.2 V
ISB
Pipeline
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
ISB
Flow Through
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
IDD
Pipeline
55
65
50
60
50
60
40
50
mA
IDD
Flow Through
40
50
40
50
35
45
35
45
mA
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PDF描述 |
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