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參數(shù)資料
| 型號： | GS816218 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 100萬× 18，為512k × 36 35.7的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 29/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 607K |
| 代理商： | GS816218 |
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GS816218/36BB
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.0 9/2004
7/31
2004, GSI Technology
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC, and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x36 version.
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Read
H
L
HHHH
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
LLLLL
2, 3, 4
Write all bytes
L
XXXX
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS8162ZV36BD-200IT | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS816218BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816218BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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