- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄173638 > GS816218 (GSI TECHNOLOGY) 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS816218 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 100萬× 18，為512k × 36 35.7的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 20/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 607K |
| 代理商： | GS816218 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當(dāng)前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
GS816218/36BB
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.0 9/2004
27/31
2004, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
VIHJ3
2.0
VDD3 +0.3
V1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
VILJ3
–0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–0.3
0.3 * VDD2
V1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–11
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOHJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816236D-150IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS816236B-133IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| GS8162Z72AC-300 | 256K X 72 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA209 |
| GS8162ZV36BD-200IT | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8170DW72AC-250IT | 256K X 72 STANDARD SRAM, 2.1 ns, PBGA209 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816218BB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816218BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816218BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。