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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161V36CGD-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/28頁 |
| 文件大小： | 584K |
| 代理商： | GS8161V36CGD-300 |
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GS8161V18/36CD-333/300/250
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 2/2005
3/28
2004, GSI Technology
165 Bump BGA—x36 Common I/O—Top View (Package D)
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11 x 15 Bump BGA—13mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161V36CGD-300I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CGD-333 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CGD-333I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161Z18B | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z32BD-250I | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161V36CGD-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CGD-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CGD-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161Z18 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18B | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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