- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383019 > GS815118 (GSI TECHNOLOGY) 16Mb（1M x 18Bit) Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS815118 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit) Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100萬(wàn)x 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（100萬(wàn)× 18位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 583K |
| 代理商： | GS815118 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)當(dāng)前第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
4/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815118/36T-225/200/180/166/150/133
TQFP Pin Description
Pin Location
Symbol
Typ
e
I
Description
37, 36
A
0
, A
1
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,
46, 47, 48, 49, 50, 92, 97
80
63, 62, 59, 58, 57, 53, 52
68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79
13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2
18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29
A
2
–
A
18
I
Address Inputs
A
19
I
Address Inputs (x18 versions)
DQ
A1
–
DQ
A8
DQ
B1
–
DQ
B8
DQ
C1
–
DQ
C8
DQ
D1
–
DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
51, 80, 1, 30
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74
8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24
51, 52, 53, 56, 57
75, 78, 79,
1, 2, 3, 6, 7,
25, 28, 29, 30
16
66
87
93, 94
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
NC
—
No Connect (x18 Version)
DP
QE
BW
B
A
, B
B
I
Parity Input; 1 = Even, 0 = Odd
Parity Error Out; Open Drain Output
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
Data I/’s; active low
(x36 Version)
No Connect (x18 Version)
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
O
I
I
95, 96
B
C
, B
D
I
95, 96
89
88
98
86
83
84, 85
NC
CK
GW
E
1
G
ADV
—
I
I
I
I
I
I
ADSP, ADSC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8151E18 | 16Mb（1M x 18Bit) Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS8151E36 | 16Mb（512K x 36Bit) Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS8151Z18 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS8151Z36 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS815218 | 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815V018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays |
| GS815V018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays |
| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。