參數(shù)資料
型號(hào)： GS123
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： npn型外延晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 165K
代理商： GS123
1/2
ISSUED DATE :2005/02/25
REVISED DATE :
G
G S
S 112233
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GS123 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
25
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
20
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
700
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
25
-
V
IC=10uA , IE=0
BVCEO
20
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
5
-
V
IE=10uA, IC=0
ICBO
-
1
uA
VCB=20V, IE=0
VCE(sat)
-
400
mV
IC=500mA, IB=50mA
VBE(on)
-
1
V
VCE=1V, IC=150mA
hFE
150
-
300
VCE=1V, IC=150mA
fT
150
-
MHz
VCE=10V, IC=20mA, f=100MHz
Cob
-
10
pF
VCB=10V, f=1MHz
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PDF描述
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