參數(shù)資料
型號(hào)： GP1S096HCZ0F
廠商： Sharp Microelectronics
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
描述： SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU
產(chǎn)品變化通告： Internal Chip Change 04/May/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 100
檢測(cè)距離： 0.039"（1mm）
檢測(cè)方法： 可傳導(dǎo)的
輸出配置： 光電晶體管
電流 - DC 正向(If)： 50mA
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 35V
響應(yīng)時(shí)間： 50µs，50µs
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： PCB 安裝
包裝： 管件
類型： 無(wú)放大
工作溫度： -25°C ~ 85°C
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 425-1965-5
5
Sheet No.: D3-A00901EN
GP1S096HCZ0F
Fig.7 Collector-emitter Saturation Voltage vs.
    Ambient Temperature
Fig.8 Collector Dark Current vs.
    Ambient Temperature
Fig.9 Response Time vs. Load Resistance    Fig.10 Test Circuit for Response Time
Remarks : Please be aware that all data in the graph are just for reference and not for guarantee.
Ambient temperature T
a
 (贑)
I
F
=10mA
I
C
=40糀
0.2
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
25
75
50
25
0
0.04
Load resistance R
L
 (k)
V
CE
5V
I
C
100A
T
a
25贑
1
1 000
100
10
1
10    100    1 000
t
s
t
d
t
f
t
r
10%
Input
Output
Input
Output
90%
t
s
t
d
V
CC
R
D
R
L
t
f
t
r
Ambient temperature T
a
 (贑)
10
10
10
6
10
7
10
8
10
9
0
100
75
50
25
V
CE
20V
20
40
60
80
100
90
50
10
1
3
2
1
0
30
70
I
F
=5mA
V
CE
=5V
T
a
=25贑
0
Sensor
  +
Shield
distance L
Shield moving distance L (mm)
30
70
20
40
60
80
100
90
50
10
1
3
2
1
0
Shield moving distance L (mm)
Shield
0
Sensor
I
F
=5mA
V
CE
=5V
T
a
=25贑

+
Fig.11 Detecting Position Characteristics (1)   Fig.12 Detecting Position Characteristics (2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP1S097HCZ0F SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
GP1S196HCZ0F SENSR OPTO SLOT 1.1MM TRANS THRU
GP1S51VJ000F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
GP1S52VJ000F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
GP1S53VJ000F SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GP1S097HCZ 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"（1.6mm） 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
GP1S097HCZ0F 功能描述:光學(xué)開(kāi)關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Sub mini 2.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
GP1S10 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Photointerrupter with Dust Cover
GP1S11 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:LINEAR OUTPUT TYPE PHOTOINTERRUPTER
GP1S12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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