參數(shù)資料
型號: GP1S093HCZ0F
廠商: Sharp Microelectronics
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 153K
描述: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
標準包裝: 100
檢測距離: 0.079"(2mm)
檢測方法: 可傳導的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 35V
響應時間: 50µs,50µs
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 管件
類型: 無放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
產品目錄頁面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 425-1963-5
5
Sheet No.: D3-A00401EN
GP1S093HCZ0F
Fig.7 Collector-emitter Saturation Voltage vs.
    Ambient Temperature
Fig.8 Collector Dark Current vs.
    Ambient Temperature
Fig.9 Response Time vs. Load Resistance    Fig.10 Test Circuit for Response Time
Fig.11 Detecting Position Characteristics (1)   Fig.12 Detecting Position Characteristics (2)
Remarks : Please be aware that all data in the graph are just for reference and not for guarantee.
Ambient temperature Ta (贑)
I
F
=10mA
I
C
=40糀
0.2
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
25
75
50
25
0
0.04
Load resistance R
L
 (k)
V
CE
5V
I
C
100A
T
a
25贑
1
1 000
100
10
0.1
1
10
100
t
f
t
s
t
d
t
r
10%
Input
Output
Input
Output
90%
t
s
t
d
V
CC
R
D
R
L
t
f
t
r
10
10
10
9
10
7
10
6
10
8
0
25
50
75    100
Ambient temperature T
a
 (贑)
V
CE
20V
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.5
1
1.5
2
Shield moving distance L (mm)
I
F
=5mA
V
CE
=5V
L
L=0
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.5
1
1.5
2
Shield moving distance L (mm)
I
F
=5mA
V
CE
=5V
L
L=0
相關PDF資料
PDF描述
GP1S094HCZ0F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
GP1S096HCZ0F SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU
GP1S097HCZ0F SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
GP1S196HCZ0F SENSR OPTO SLOT 1.1MM TRANS THRU
GP1S51VJ000F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
GP1S094HCZ 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器,轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"(1.6mm) 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應時間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
GP1S094HCZ0F 功能描述:光學開關(透射型,光電晶體管輸出) Photointerrupter 3.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
GP1S096HCZ 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器,轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"(1.6mm) 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應時間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
GP1S096HCZ0F 功能描述:光學開關(透射型,光電晶體管輸出) Photointerrupter Sub mini 1.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
GP1S097HCZ 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器,轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"(1.6mm) 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應時間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5