參數(shù)資料
型號： GP1S093HCZ0F
廠商： Sharp Microelectronics
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 153K
描述： SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 100
檢測距離： 0.079"（2mm）
檢測方法： 可傳導(dǎo)的
輸出配置： 光電晶體管
電流 - DC 正向(If)： 50mA
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 35V
響應(yīng)時間： 50µs，50µs
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： PCB 安裝
包裝： 管件
類型： 無放大
工作溫度： -25°C ~ 85°C
產(chǎn)品目錄頁面： 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 425-1963-5
3
Sheet No.: D3-A00401EN
GP1S093HCZ0F
?SPAN class="pst GP1S093HCZ0F_2587089_4">Absolute Maximum Ratings
?SPAN class="pst GP1S093HCZ0F_2587089_4">Electro-optical Characteristics
(T
a
=
25贑 )
Parameter
Symbol  Rating   Unit
Input
Forward current
I
F
50    mA
Reverse voltage
V
R
6
V
Power dissipation
P
75    mW
Output
Collector-emitter voltage
V
CEO
35
V
Emitter-collector voltage
V
ECO
6
V
Collector current
I
C
20    mA
Collector power dissipation    P
C
75    mW
Total power dissipation
P
tot
100    mW
Operating temperature
T
opr
25 to +85   贑
Storage temperature
T
stg  
40 to
+
100  贑

1
Soldering temperature
T
sol
260    贑

1 For 5s or less
(T
a
=
25贑 )
Parameter
Symbol
Condition
MIN.  TYP.  MAX.  Unit
Input
Forward voltage
V
F
I
F
=20mA
   1.2   1.4   V
Reverse current
I
R
V
R
=
3V
    
10
?/DIV>
A
Output Collector dark current
I
CEO
V
CE
=20V
       100   nA
Transfer
charac-
teristics
Collector current
I
C
V
CE
=5V, I
F
=5mA
100      400   糀
Collector-emitter saturation voltage    V
CE(sat)
I
F=
10mA, I
C=
40
?/DIV>
A
    
0.4   V
Response time
Rise time   t
r
V
CE
=5V, I
C
=100糀, R
L
=1k?/DIV>
    50   150   約
Fall time   t
f

50   150
?/DIV>
s
1mm or more
Soldering area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP1S094HCZ0F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
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參數(shù)描述
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GP1S094HCZ0F 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter 3.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
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GP1S096HCZ0F 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Sub mini 1.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
GP1S097HCZ 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
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