參數(shù)資料
型號： GMZJ9.1BT/R
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 8.79 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： GMZJ9.1BT/R
PAGE . 5
STAD-SEP.14.2004
Fig. 7 Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 8 Z-Current vs. Z-Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I
–
Forward
Current
(
m
A
)
F
VF – Forward Voltage(V)
Tj=25°C
04
8
12
16
20
95 9604
0
20
40
60
80
100
I
–
Z-Current
(
m
A
)
Z
VZ – Z-Voltage(V)
Ptot=500mW
Tamb=25°C
Fig. 9 Z-Current vs. Z-Voltage
Fig. 10 Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
I
–
Z-Current
(
m
A
)
Z
VZ – Z-Voltage(V)
35
95 9607
Ptot=500mW
Tamb=25°C
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
r
–
Dif
ferential
Z-Resistance
(
)
Z
VZ – Z-Voltage(V)
25
95 9606
Tj=25°C
IZ=1mA
5mA
10mA
1
10
100
1000
Z
–
Thermal
Resistance
for
Pulse
Cond.(K/W
)
thp
tp – Pulse Length ( ms )
95 9603
10–1
100
101
102
tp/T=0.5
tp/T=0.2
tp/T=0.1
tp/T=0.05
tp/T=0.02
tp/T=0.01
Single Pulse
RthJA=300K/W
T=Tjmax–Tamb
iZM=(–VZ+(VZ2+4rzj
T/Zthp)1/2)/(2rzj)
x
Fig. 11 Thermal Response
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP202 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
GP2L09A POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1-1mm, 0.50-1.90mA, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT
GPA-017S GPS ANTENNA WITH LOW NOISE AMPLIFIER
GQZ10AT/R7 9.36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
GQZ11BT/R7 10.78 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GN00120R00FB1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 20ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN00120R00FE1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 20ohms 1% 1watt RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN0012R000FB1253 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 2ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN00142R20AB1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 42.2ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN001536R0AB1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 536ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*