參數(shù)資料
型號(hào)： GMBT8050L
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： npn型外延晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 235K
代理商： GMBT8050L
1/2
ISSUED DATE :2004/08/25
REVISED DATE :
G
G M
M B
B T
T 88005500L
L
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A LL T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBT8050L(large current) is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
40
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
25
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
1.5
A
Total Power Dissipation
PD
250
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
40
-
V
IC=100uA , IE=0
BVCEO
25
-
V
IC=2mA, IB=0
BVEBO
6
-
V
IE=100uA, IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=35V, IE=0
IEBO
100
nA
VEB=6V,IC=0
VCE(sat)
-
0.5
V
IC=800mA, IB=80mA
VBE(sat)
-
1.2
V
IC=800mA, IB=80mA
VBE(on)
-
1
V
VCE=1V,IC=10mA
hFE
45
-
VCE=1V, IC=5mA
hFE
120
-
500
VCE=1V, IC=100mA
hFE
40
-
VCE=1V, IC=800mA
fT
100
-
MHz
VCE=10V, IC=20mA, f=100MHz
Cob
-
10
pF
VCB=10V, f=1MHz
Classification Of hFE
Rank
DLC
DLD
DLE
hFE
120 - 200
160 - 300
250 - 500
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GMBT8050 NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT8550L PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT8550 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GMBT9012 PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBTA06 NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
GMBT8550 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GMBT8550L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GMBT9012 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT9013 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT9014 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
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