參數(shù)資料
型號(hào)： GMBT5089
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 瑞展晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 172K
代理商： GMBT5089
1/2
G
G M
M B
B T
T 55008899
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBT5089 is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
30
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
25
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
4.5
V
Collector Current
IC
50
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
30
-
V
IC=100uA
BVCEO
25
-
V
IC=1mA
BVEBO
4.5
-
V
IE=10uA
ICBO
-
50
nA
VCB=15V
IEBO
-
100
nA
VEB=4.5V
*VCE(sat)
-
500
mV
IC=10mA, IB=1mA
*VBE(sat)
-
800
mV
IC=10mA, IB=1mA
hFE1
400
-
1200
VCE=5V, IC=0.1mA
hFE2
450
-
VCE=5V, IC=1mA
hFE3
400
-
VCE=5V, IC=10mA
fT
50
-
MHz
VCE=5V, IC=0.5mA, f=20MHz
Cob
-
4
pF
VCB=5V, f=1MHz
*Pulse Test:Pulse Width <=380us, Duty Cycle <=2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GMBT5401 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GMBT5551 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GMBT8050L NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT8050 NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT8550L PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GMBT5401 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GMBT5551 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GMBT8050 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT8050L 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT8550 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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