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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841ET-7J |
| 英文描述： | x8 SDRAM |
| 中文描述： | x8 SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | GM72V66841ET-7J |
GM72V66441ET/ELT
Rev. 1.1/Apr.01
Absolute Maximum Ratings
Notes : 1. Respect to V
S S
Symbol
Value
Unit
Note
Parameter
V
T
-0.5 to Vcc+0.5
(
4.6 (max))
V
1
Voltage on any pin relative to V
SS
V
CC
-0.5 to +4.6
V
1
Supply voltage relative to V
SS
I
OUT
50
mA
Short circuit output current
P
T
1.0
W
Power dissipation
Topr
0 to +70
Operating temperature
Tstg
-55 to +125
Storage temperature
Notes : 1. All voltage referred to V
SS
.
2. V
IH
(max) = 5.6V for pulse width
3ns
3. V
IL
(min) = -2.0V for pulse width
3ns
Recommended DC Operating Conditions (Ta = 0 to + 70 )
Symbol
Min
Unit
Note
V
CC
, V
CCQ
V
1
V
SS
, V
SSQ
V
Input high voltage
V
IH
V
1, 2
Input low voltage
V
IL
V
1,3
Supply voltage
Parameter
Max
3.0
3.6
0
0
2.0
Vcc+0.3
-0.3
0.8
-3-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-8 | x8 SDRAM |
| GM76C256BL-55 | x8 SRAM |
| GM76C8128CLT-70 | x8 SRAM |
| GM76C8128CLT-85 | x8 SRAM |
| GM76C8128CLTS-55 | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841EXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM73V1892H16C | 制造商:Hynix Semi 功能描述: 制造商:LGS 功能描述:73V1892H16C |
| GM74 | 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:Gasket sealing 50ml |
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