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參數(shù)資料
| 型號： | GLT5640AL16P-5.5TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | TBG H/SHRINK FP 1/16 BLK |
| 中文描述： | 4米× 16個CMOS同步動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 69/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-5.5TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 69 -
Precharge Termination of a Burst (2 of 2)
*BA1=”L” , Bank C , D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge
Bank A
Read
Command
Bank A
High
RAa
RAc
CAa
DAa1
DAa0
QAb0 QAb1
QAb2 QAb3
tDPL
tRP
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
tRCD
tRP
Write Data
is masked
Precharge Termination
of a Write Burst.
Precharge Termination
t
RAS
*BA0
Burst Length=8, CAS Latency=3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16P-6TC | TUBE, SHR, POL, 063/031, BLK, 017, 600V, 135C, (934872) |
| GLT5640AL16P-7TC | SHRINK TUBING D=12 |
| GLT5640AL16P-8TC | INSULATION SLEEVING, 1/4" ID, PER MIL-I-23053 |
| GLT5640L32 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16P-6TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-7TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-8TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640L32 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
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