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參數(shù)資料
| 型號： | GLT5640AL16P-5.5TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | TBG H/SHRINK FP 1/16 BLK |
| 中文描述： | 4米× 16個CMOS同步動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 60/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-5.5TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 60 -
Auto Precharge after Write Burst (2 of 2)
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBa3
QAa0QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
Ra
Ra
Ra
QAb3
QAb0 QAb1
Read
Command
Bank A
Read with
Bank B
QBa2
QAb2
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
QBb0
Ra
Ca
Ca
RBb
Cb
Start Auto Precharge
Start Auto
Precharge
Start Auto Precharge
Bank B
High
Rb
Cb
QBb1QBb2
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto precharge
Command
Bank B
Auto Precharge
Read with
Rb
QBb3
*BA0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16P-6TC | TUBE, SHR, POL, 063/031, BLK, 017, 600V, 135C, (934872) |
| GLT5640AL16P-7TC | SHRINK TUBING D=12 |
| GLT5640AL16P-8TC | INSULATION SLEEVING, 1/4" ID, PER MIL-I-23053 |
| GLT5640L32 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16P-6TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-7TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-8TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640L32 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
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