參數(shù)資料
型號： GFB50N03
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
中文描述： N溝道增強型MOSFET
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： GFB50N03
0
20
40
80
01
2
3
4
5
Fig. 1 – Output Characteristics
I D
-
-Drain
Source
Current
(A)
VDS -- Drain-to-Source Voltage (V)
0
0.01
0.015
0.005
0.02
0.025
0.03
0
20
40
60
80
100
Fig. 4 – On-Resistance
vs. Drain Current
R
DS(ON)
-
-On-Resistance
(
)
ID -- Drain Current (A)
0
10
20
40
30
50
60
12
3
4
5
Fig. 2 – Transfer Characteristics
I D
-
-Drain
Current
(A)
60
2.5V
0.6
1.2
1.4
1.6
0.8
1
--50
--25
25
50
75
100
125
150
0
R
DS(ON)
-
-On-Resistance
(Normalized)
TJ -- Junction Temperature (
°C)
Fig. 5 – On-Resistance
vs. Junction Temperature
VGS = 10V
ID = 25A
6.0V
10V
TJ = 125
°C
--55
°C
3.0V
4.0V
4.5V
3.5V
5.0V
25
°C
VDS = 10V
VGS = 4.5V
VGS -- Gate-to-Source Voltage (V)
0.8
0.6
1
1.2
1.4
1.6
1.8
--50
--25
25
50
75
100
125
150
0
V
GS(th)
--
Threshold
V
oltage
(V)
TJ -- Junction Temperature (
°C)
Fig. 3 – Threshold Voltage
vs. Temperature
ID = 250
A
5V
VGS=10V
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
GFB50N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GFB70N03 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
GFSH109F3N/AA 19 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER
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GFSH624F4H-PA688 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER
GFSH624F4H/AA-PA688 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER
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參數(shù)描述
GFB50N03\31B 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
GFB60N03\31B 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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GFB75N03 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
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