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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GFB50N03 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | GFB50N03 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GFB70N03 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| GFSH109F3N/AA | 19 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| GFSH624F4B | 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| GFSH624F4H-PA688 | 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| GFSH624F4H/AA-PA688 | 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GFB50N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GFB60N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GFB70N03 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| GFB70N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GFB75N03 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
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