參數(shù)資料
型號(hào)： FZ24R12K4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 106K
代理商： FZ24R12K4
FZ 2400 R 12 KF4
FZ 2400 R 12 KF4 / 1
FZ 2400 R 12 KF4 / 2
FZ 2400 R 12 KF4 / 3
FZ 2400 R 12 KF4 / 4
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0
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0
0,5
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
i
[A]
i
C
[A]
i
[A]
i
C
[A]
v
CE
[V]
v
CE
[V]
v
CE
[V]
5
6
7
8
9
10
11
12
v
GE
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
3 4
6
2
3 4
6
2
3 4
6
2
3 4
6
1
1,5
2
2,5
v
F
[V]
3
i
F
[A]
Z
thJC
[°
C/W
]
t [s]
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
T
vj
= 125°C
Bild / Fig. 3
übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20 V
Bild / Fig. 4
Rückwrts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
T
vj
= 125°C
v
LF
= v
= 15 V
R
G
= 0,47
Bild / Fig. 5
Transienter Wrmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
Bild / Fig. 6
Durchlakennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
20 V
8 V
V
GE
=
t
vj
=
Diode
IGBT
25°C
125°C
10 V
9 V
12 V
15 V
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PDF描述
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FZ300R12KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
FZE1658 ?Input protection against 2000 V burst/500 V surge pulse according to IEC 801 4/5. Input characteristic according to IEC 65 A. type 2 (24 V DC). Digital filter. Serial in/out for easy cascading. Low power dissipation. SMD package.?
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