參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1200R33KF2-B5
廠商： EUPEC
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： Hochstzulassige話高潮/最大額定值
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 164K
代理商： FZ1200R33KF2-B5
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 33 KL2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufiges Datenblatt
preliminary datasheet
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T
j
= 25°C
T
j
= -25°C
V
CES
3300
3300
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80°C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
1200
A
I
C
2300
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
2400
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
14,7
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
1200
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
2400
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
A
2
s
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
T
j
= 125°C
P
RQM
1.500
kW
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
6.000
V
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
10 pC (acc. to IEC 1287)
V
ISOL
2.600
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 1200A, V
GE
= 15V, Tvj = 25°C
V
CE sat
-
3,00
3,65
V
I
C
= 1200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
3,70
4,45
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 120 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,2
5,1
6,0
V
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
145
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
8
-
nF
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... + 15V, V
CE
= 1800V
Q
G
-
22
-
μC
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: J. Biermann
date of publication : 2002-04-23
approved by: Christoh Lübke; 2002-04-30
revision: 3
V
CE
= 3300V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
440.000
mA
-
-
5
1 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
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PDF描述
FZ1600R12KE3 IGBT-Module
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FZ400R12KS4 IGBT-Module / IGBT-inverter
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參數(shù)描述
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FZ1200R33KF2C-B5 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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