參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1050R12K4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： FZ1050R12K4
FZ 1050 R 12 KF4
FZ 1050 R 12 KF4 / 1
FZ 1050 R 12 KF4 / 2
FZ 1050 R 12 KF4 / 3
FZ 1050 R 12 KF4 / 4
1
2
3
4
5
i
[A]
i
C
[A]
v
CE
[V]
2500
2000
1500
1000
500
0
2500
2000
1500
1000
500
0
2500
2000
1500
1000
500
0
5
6
7
8
9
10
11
12
v
GE
[V]
10
-1
10
-2
10
-3
2
3
5
7
2
3
5
7
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
3 4
6
2
3 4
6
2
3 4
6
2
3 4
6
Z
thJC
[°
C/W
]
t [s]
0,5
1
1,5
2
2,5
v
F
[V]
3
i
F
[A]
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Bild / Fig. 2
übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20 V
Bild / Fig. 3
Transienter Wrmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
Bild / Fig. 4
Durchlakennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
t
vj
=
Diode
IGBT
25°C
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ1200R12KF1 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 1.2KA I(C)
FZ1200R12KF4 IGBT Module
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參數(shù)描述
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FZ1131 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
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