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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FS35R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Modules |
| 中文描述： | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-28 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | FS35R12KE3G |
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
85
-
ns
-
90
-
ns
-
30
-
ns
-
45
-
ns
-
420
-
ns
-
520
-
ns
-
65
-
ns
-
90
-
ns
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
49
-
A
-
51
-
A
-
3,7
-
μC
-
6,8
-
μC
-
1,4
-
mJ
-
2,7
-
mJ
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
t
r
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 1500A/μs
Durchlassspannung
forward voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
F
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
t
f
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
-
3,5
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
m
Charakteristische Werte / characteristic values
E
on
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
t
d,off
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
-
mJ
-
mJ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC′/EE′
T
c
= 25°C
19
turn off energy loss per pulse
E
off
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V, T
Vj
≤
125°C
-
4,8
Diode Wechselrichter / diode inverter
2,5
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -diF/dt= 1500A/μs
-
nH
stray inductance module
Modulindiktivitt
L
σ
CE
-
SC data
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σ
CE
·di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
Kurzschlussverhalten
I
SC
-
140
-
A
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 1500A/μs
2 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS3A | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3B | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3C | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3D | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3G | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FS35R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK2 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| FS35R12NT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12W1T4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 65A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12W1T4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 35A 1200V |
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