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參數(shù)資料
| 型號： | FS35R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Modules |
| 中文描述： | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-28 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | FS35R12KE3G |
I
C, nom
I
C
35
55
A
A
min.
typ.
max.
-
1,7
2,15
V
-
2,0
-
V
mA
5
-
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
nF
-
0,09
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
-
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
C
res
I
CES
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
prepared by: M. Münzer
V
GES
revision: 3
2,5
5,0
5,8
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2002-03-04
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
collector emitter saturation voltage
V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C, I
C
= I
C,nom
A
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
V
ISOL
I
CRM
P
tot
200
repetitive peak forward current
kV
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
V
CES
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: M. Hierholzer
V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C, I
C
= I
C,nom
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C, I
C
= 1,5mA
1200
V
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
T
vj
= 25°C
W
V
70
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
35
T
c
= 25°C
repetitive peak collector current
t
p
= 1ms, T
c
= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
A
+20
300
A2s
t
p
= 1ms
I
FRM
70
A
Grenzlastintegral
I2t value
V
nF
2,5
-
0,33
-
μC
I
GES
-
400
6,5
-
-
-
I2t
V
GE(th)
C
ies
nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
1 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS3A | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3B | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3C | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3D | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3G | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FS35R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK2 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| FS35R12NT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12W1T4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 65A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12W1T4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 35A 1200V |
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