型號: | FQU7P20 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為-5.7A的P溝道增強型MOS場效應(yīng)管) |
中文描述: | 5.7 A, 200 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
封裝: | IPAK-3 |
文件頁數(shù): | 4/9頁 |
文件大小: | 710K |
代理商: | FQU7P20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQD8P10 | 100V P-Channel MOSFET |
FQD9N08 | 80V N-Channel MOSFET |
FQD9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQE10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
FQE10N20LC | 200V Logic N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQU7P20TU | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQU7P20TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V 5.7A 0.69OHM P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQU8N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
FQU8N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQU8P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |