參數(shù)資料
型號(hào): FQU5N50C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 4 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: IPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 628K
代理商: FQU5N50C
Rev. A, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD5P10 100V P-Channel MOSFET
FQU5P10 100V P-Channel MOSFET
FQD5P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為3.7A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD60N03L N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm
FQD6N25 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU5N50CTU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N50CTU_WS 功能描述:MOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N50TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQU5N60CTU 功能描述:MOSFET N-CH/600V/5A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube