參數(shù)資料
型號(hào): FQU3P20
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 200V P-Channel MOSFET
中文描述: 2.4 A, 200 V, 2.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝: IPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 549K
代理商: FQU3P20
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
10
-1
10
0
25
150
Notes :
1. V
= 0V
2. 250 s Pulse Test
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
Notes :
1. V
= -40V
2. 250 s Pulse Test
-55
150
25
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T
C
= 25
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -100V
V
DS
= -40V
V
DS
= -160V
Note : I
D
= -2.8 A
-
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
Note : T
J
= 25
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQU3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD45N03L N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
FQD4N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為3.2A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD4N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為3.0A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU3P20TU 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FQU3P50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET
FQU3P50TU 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU45N03L 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA
FQU45N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube