參數(shù)資料
型號: FQU2N100TU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
產(chǎn)品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝: 70
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 歐姆 @ 800mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝: I-Pak
包裝: 管件