| 型號(hào)： |
FQU2N100TU |
| 廠(chǎng)商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
2/9頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
70 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
1000V（1kV）
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.6A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
9 歐姆 @ 800mA，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
15.5nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
520pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
2.5W
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| 安裝類(lèi)型： |
通孔
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| 封裝/外殼： |
TO-251-3 短引線(xiàn)，IPak，TO-251AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
I-Pak
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| 包裝： |
管件
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