參數(shù)資料
型號(hào): FQPF5N40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 400V N-Channel MOSFET
中文描述: 3 A, 400 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 655K
代理商: FQPF5N40
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF5N30 300V N-Channel MOSFET
FQPF5N80 800V N-Channel MOSFET
FQPF5P20 200V P-Channel MOSFET
FQT5N20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223
FQT5N20L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF5N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF5N50C 功能描述:MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF5N50CF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQPF5N50CFTU 功能描述:MOSFET N-CH/500V/5A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF5N50CT 功能描述:MOSFET N-CH/500V/5A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube