參數(shù)資料
型號： FQH140N10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V N-Channel MOSFET
中文描述： 140 A, 100 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 679K
代理商： FQH140N10
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2003
F
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 70 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
※
N o tes :
1 . Z
θ
2 . D uty F acto r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t) = 0.4
℃
/W M ax.
J C
(t)
single p ulse
D = 0.5
0 .02
0 .01
0 .2
0 .05
0 .1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [se c ]
25
50
75
100
125
150
175
0
30
60
90
120
150
Limited by Package
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 175
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQH18N50V2 500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 400V N-Channel MOSFET
FQH44N10 100V N-Channel MOSFET
FQH70N10 FQH70N10 100V N-Channel MOSFET
FQH90N10V2 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:19 x 36; Jacket Color:White; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1180; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/5 Type EE RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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