參數(shù)資料
型號: FQD3N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 575K
代理商: FQD3N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
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相關PDF資料
PDF描述
FQU3N60 600V N-Channel MOSFET
FQD3P20 200V P-Channel MOSFET
FQU3P20 200V P-Channel MOSFET
FQD3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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